O AGENTICO
Cientistas chineses aumentam durabilidade de memória futura em 100 vezes
2 fontesdesde 13 de setembro de 20262 artigos
Cientistas da Universidade de Xidian, em colaboração com a Universidade da Cidade de Hong Kong e a Universidade de Fudan, publicaram um estudo na revista Science demonstrando mais de 10 bilhões de ciclos de escrita em ferroelétricos wurtzita, como o AlScN. Essa conquista representa um aumento de cerca de 100 vezes na resistência do material em relação ao limite anterior, superando uma barreira crítica para o uso dessa tecnologia em memórias de próxima geração. O avanço pode viabilizar chips de memória mais densos e eficientes para futuros sistemas de IA.
Resumo
Pesquisadores chineses demonstraram mais de 10 bilhões de ciclos de escrita em ferroelétricos wurtzita, cerca de 100 vezes a durabilidade anteriormente alcançada com o mesmo material.
Isso supera uma barreira crítica de confiabilidade para o uso de memórias ferroelétricas em computação de alto desempenho e futuros sistemas de IA.
A pesquisa foi liderada por cientistas da Universidade de Xidian, em colaboração com a Universidade da Cidade de Hong Kong e a Universidade de Fudan.
Identifica as instituições responsáveis pelo avanço, o que é relevante para avaliar a credibilidade e o contexto do estudo.
O artigo foi publicado na revista Science na quinta-feira.
A publicação em um periódico de alto impacto confere reconhecimento científico ao trabalho.
Materiais como o nitreto de alumínio e escândio (AlScN) são considerados promissores para memórias de próxima geração devido à rápida velocidade de comutação, baixo consumo de energia e compatibilidade com processos de fabricação de semicondutores existentes.
O AlScN pode ser integrado mais facilmente às linhas de produção atuais, o que acelera sua adoção em futuros dispositivos.
Todo dia, só o que dois veículos independentes confirmaram — no seu feed.