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Instituto chinês demonstra transistores GAA de 3nm sem litografia EUV
2 fontesdesde 19 de setembro de 20262 artigos
O Instituto de Microeletrônica da Academia Chinesa de Ciências (IMECAS) anunciou a conclusão da integração inicial de processo para transistores gate-all-around (GAA) com empilhamento de nanofolhas, fabricados com litografia DUV de imersão. A demonstração ocorre em meio às restrições dos EUA que impedem a China de adquirir equipamentos EUV da ASML, e visa criar uma rota alternativa para a produção de chips avançados abaixo de 3nm, embora o processo ainda esteja distante da maturidade industrial.
Resumo
O IMECAS concluiu a integração inicial de processo para transistores GAA de nanofolhas usando litografia DUV de imersão, visando a fabricação de chips sub-3nm.
Isso representa um avanço estratégico para a China, que não pode adquirir máquinas EUV devido ao embargo, indicando um caminho alternativo para competir em semicondutores.
A informação sobre a conclusão da integração do processo foi divulgada por Ye Tianchun, veterano do IMECAS, em discurso na conferência IC World em Pequim.
A declaração de um engenheiro-chefe envolvido no projeto confirma o caráter oficial do anúncio, mostrando reconhecimento estatal do progresso técnico.
Os dispositivos GAA fabricados por DUV ainda não superaram a etapa de integração inicial, e não tiveram parâmetros geométricos críticos divulgados, estando longe de um processo completo de 3nm.
Isso ressalta que, embora seja um marco de pesquisa, não se trata de uma tecnologia pronta para produção, com desafios substanciais para atingir o nível comercial.
Citações
“Ye Tianchun, chief engineer of China's National Major Special Project 02, said at the IC World conference in Beijing that IMECAS had completed 'early process integration' for stacked nanosheet-channel GAA transistors fabricated with DUV lithography.”
A declaração de um engenheiro-chefe envolvido no projeto confirma o caráter oficial do anúncio, mostrando reconhecimento estatal do progresso técnico.
— Ye Tianchun, engenheiro-chefe do Projeto Especial Nacional 02 da China · ver em Tom's Hardware ↗
“Ye said the institute had finished early integration for stacked nanosheet-channel GAA CMOS transistors using DUV tools.”
Isso ressalta que, embora seja um marco de pesquisa, não se trata de uma tecnologia pronta para produção, com desafios substanciais para atingir o nível comercial.
— Ye Tianchun, engenheiro-chefe do IMECAS · ver em South China Morning Post ↗
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