O AGENTICO
AlScN
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Materiais como o nitreto de alumínio e escândio (AlScN) são considerados promissores para memórias de próxima geração devido à rápida velocidade de comutação, baixo consumo de energia e compatibilidade com processos de fabricação de semicondutores existentes.
O AlScN pode ser integrado mais facilmente às linhas de produção atuais, o que acelera sua adoção em futuros dispositivos.

Pesquisadores chineses demonstraram mais de 10 bilhões de ciclos de escrita em ferroelétricos wurtzita, cerca de 100 vezes a durabilidade anteriormente alcançada com o mesmo material.
Isso supera uma barreira crítica de confiabilidade para o uso de memórias ferroelétricas em computação de alto desempenho e futuros sistemas de IA.
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