Cientistas chineses aumentam durabilidade de memória futura em 100 vezes

13 de setembro de 2026 · 2 fontes independentes

Pesquisadores chineses demonstraram mais de 10 bilhões de ciclos de escrita em ferroelétricos wurtzita, cerca de 100 vezes a durabilidade anteriormente alcançada com o mesmo material.

Isso supera uma barreira crítica de confiabilidade para o uso de memórias ferroelétricas em computação de alto desempenho e futuros sistemas de IA.

A pesquisa foi liderada por cientistas da Universidade de Xidian, em colaboração com a Universidade da Cidade de Hong Kong e a Universidade de Fudan.

Identifica as instituições responsáveis pelo avanço, o que é relevante para avaliar a credibilidade e o contexto do estudo.

O artigo foi publicado na revista Science na quinta-feira.

A publicação em um periódico de alto impacto confere reconhecimento científico ao trabalho.

Materiais como o nitreto de alumínio e escândio (AlScN) são considerados promissores para memórias de próxima geração devido à rápida velocidade de comutação, baixo consumo de energia e…

O AlScN pode ser integrado mais facilmente às linhas de produção atuais, o que acelera sua adoção em futuros dispositivos.

Confirmado por

  • South China Morning Post
  • TechRadar
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